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991.
驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作 总被引:2,自引:1,他引:1
a-Si:H/SiNx:H TFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87~1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si:H TFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为10^6;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m^2。 相似文献
992.
BST薄膜电容器的制备及其调谐性能研究 总被引:2,自引:2,他引:0
利用氩离子束溅射技术在SiO2/Si衬底上淀积Ba0.8Sr0.2TiO3(BST)薄膜,该薄膜在氧气气氛中500℃退火处理30 min,然后利用集成电路平面工艺将薄膜制作成叉指结构电容器。X-射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)分析表明,BST薄膜具有钙钛矿结构,薄膜表面光滑,晶粒致密且分布均匀。调谐性能测试结果表明,该电容器具有较高的电容调谐率,在室温100 kHz频率下,对于2 V的直流偏压,其调谐率和损耗因子分别为62%和0.02。这说明具有此结构的BST薄膜电容器可望应用于微波集成电路。 相似文献
993.
994.
本文对远距离支援干扰飞机、随队支援干扰飞机、机载自卫电子对抗系统以及最近国外正在大力发展的分布式电子干扰系统等几种航空有源电子干扰装备的作战对象、战术应用、功能、使用局限性等特点进行了比较 ,探讨了综合发展和运用这几型装备的重要意义 相似文献
995.
996.
盐家油田油水井结垢原因探讨 总被引:2,自引:0,他引:2
对地层温度65~75℃的盐家油田油水井近井地带、井底、井筒发生严重结垢的原因进行了分析探讨。7口油井采出的地层水均为NaCO3型水.矿化度6.4~10g/L,HCO3浓度高(1.6~3.7g/L),Ca^2++Mg^2+浓度较低;1口水源井水及1口水井注入水为CaCl2型水,矿化度32~33g/L,Ca^2++Mg^2+浓度高(3.1~3.8g/L)而HCO3浓度低;采用CaCO3饱和指数法和CaSO4热力学溶解度法预测,在70℃下所有水样均有CaCO3结垢趋势,除3口油井采出的地层水外,均有CaSO4结垢趋势。3口油井采出的地层水与水源水在25℃按不同比例混合后,悬浮物含量大幅度上升。在70℃放置7天后再次大幅度上升,烘干的悬浮物易溶于稀盐酸.其主要成分为碳酸盐.说明注入水、地层水不配伍。1口电泵采油井和1口注水井油管垢样含盐酸可溶物(碳酸盐)超过90%。讨论了碳酸盐、硫酸盐垢的生成条件:温度、压力及pH值。图1表4参3。 相似文献
997.
钢铁产品在生产、加工过程产生废水、废气、废渣,对环境产生污染。应在保护环境的基础上发展生产,走绿色工业的道路。 相似文献
998.
999.
1000.
VGCR211型调速器的可编程控制器采用数字化双套冗余配置方式;应用程序由RS232串口写入用户存储器,确保电源消失后程序不会造成任何丢失;输出放大VCAl卡可独立实现对调速器的开度控制功能;转速检测单元采用齿盘测速方式,网频测量取自机端PT;导叶反馈采用角度传感器电气反馈方式。调速器的转速、开度和负荷三种控制模式可任意无扰动切换。在功能实现上,导叶采用关断阀,该阀集开停机阀和紧急停机阀功能于一体,不装事故配压阀。该调速器在小浪底水电厂投运以来其调节性能、可靠性基本达到设计要求,维护工作量较以往传统产品大大减少。 相似文献